激光退火

随着超大规模集成电路制造技术、新型薄膜晶体管显示技术和大面积OLED显示技术的日益成熟和规模化，激光退火技术逐渐取代传统的炉管退火、快速热退火、尖峰退火、快闪退火，成为新一代主流退火技术。

激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅.传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中,在一定的温度(300°～1200℃)保温退火10～60min

激光退火技术在集成电路里边的应用，主要在如下三个方面：（1)给半导体器件的电极（源、漏、栅极)退火，金属化形成欧姆接触；（2)给集成电路内部的连接退火；（3)给3D的结构做退火，如存储器、NEMS等的退火。功率器件如MOSFET、IGBT等存在垂直的结构，在工作的过程中有垂直方向的电流，背面电极被用来作为欧姆接触或者发射极。这个背面电极可以方便使用激光退火技术获得。IGBT集电极结构包括两个掺杂区域：P型的表面集电极、掩埋 N 型场截止层，



Ti金属层厚度的合理选择，可以使之成为一层抗反膜和热吸收层，从而提升激光退火的效率，使得更多的杂质激活，获得更高的掺杂浓度。因此在处理时常用Ti作为打底层。